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2024-05-16
高温反偏试验核心解读：三大要点速览
高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias Test，简称HTRB）是一种用于评估半导体器件可靠性的重要测试方法。该试验通过在高温条件下施加反向电压，观察器件随时间增加的漏电流变化，以判断其是否会出现失效。此...
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2024-05-16
功率器件模块常见可靠性测试项目及测试方法
功率模块的可靠性，是指器件在一定时间内、一定条件下无故障的运行的能力，是功率模块最重要的品质特性之一。 要满足现代技术和生产的需要，获得更高的经济效益，必须使用高可靠性的产品，这样设计的产品才具有更高的...
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2024-05-10
在进行动态热循环测试时，如何保证功率半导体测试的可靠性和准确性？
在进行动态热循环测试时，保证测试的可靠性和准确性至关重要。以下是一些关键措施：1. **标准遵循**：遵循相关的行业标准和规范，如JEDEC、AEC-Q100等，这些标准提供了测试方法和参数的指导。2. **测试设备校准**：确...
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2024-05-10
动态热循环测试中的温度范围和循环次数是如何确定的？
动态热循环测试中的温度范围和循环次数是根据器件的应用场景、预期工作条件、材料特性以及可靠性目标来确定的。以下是一些关键的考虑因素：1. **应用场景**：器件预期的应用环境会直接影响测试条件。例如，用于汽车应...
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2024-05-10
第三代功率半导体的如何进行动态热循环测试
第三代功率半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，因其出色的高温、高压、高功率和高频率特性，在现代电力电子领域中备受关注。动态热循环测试是评估这些器件在快速温度变化下的性能和可靠性的重要手段。以下...
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2024-05-10
2023年报大揭秘：6家功率半导体企业如何应对新能源汽车浪潮
在新能源汽车中，功率半导体是电力电子的核心，是成本仅次于电池的第二大核心零部件，随着新能源汽车持续渗透，这一领域也逐渐成为本土功率芯片、晶圆厂、功率器件差异化竞争的重要领域。近日，华虹半导体(01347.HK/...
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2024-05-09
动态栅极电压稳定性测试需要考虑哪些关键点
第三代半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，因其出色的电子迁移率和热导率，在高功率和高频率应用中显示出巨大潜力。动态栅极电压稳定性测试是评估这些半导体器件在快速变化的栅极电压条件下性能稳定性的重...
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2024-05-09
动态可靠性测试中，如何评估温度变化对器件性能的影响？
在动态可靠性测试中，评估温度变化对器件性能的影响是至关重要的，因为温度是影响电子器件性能和寿命的关键因素之一。以下是一些评估温度变化对器件性能影响的方法：1. **温度循环测试**：通过在一定的温度范围内进行...
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2024-05-09
制定第三代半导体器件功率循环测试方案时需要考虑哪些关键点
第三代半导体器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，因其在高温、高压、高功率和高频率应用中的优势而备受关注。功率循环测试是评估这些器件长期运行可靠性的重要手段。1. **测试目的**：模拟器件在实际应用中的...
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2024-05-09
第三代功率半导体器件：动态可靠性测试要注意哪些要点
第三代功率半导体器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，因其出色的电气特性在许多高效率、高频率和高温度应用中变得越来越重要。动态可靠性测试是确保这些器件在实际工作条件下能够可靠运行的关键步骤。以下是...
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